[发明专利]铜铟镓硒薄膜光伏电池装置及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110422208.9 申请日: 2011-12-15
公开(公告)号: CN102522434A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 尹苓;肖旭东 申请(专利权)人: 香港中文大学;中国科学院深圳先进技术研究院
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0749;H01L31/18
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 吴平
地址: 中国香港*** 国省代码: 中国香港;81
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摘要: 发明涉及一种铜铟镓硒薄膜光伏电池装置及其制备方法。该铜铟镓硒薄膜光伏电池装置包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层、导电窗口层及栅电极,其中,所述栅电极为p型或n型的石墨烯薄膜。近乎透明的石墨烯薄膜作为CIGS薄膜光伏电池装置的栅电极,最显著的优势是透光,单层石墨烯只吸收2.3%的光,相较之传统使用的Ni/Al栅极完全不透光,该光伏电池装置的有效受光面积增加,短路电流升高,电池效率也升高。
搜索关键词: 铜铟镓硒 薄膜 电池 装置 及其 制备 方法
【主权项】:
一种铜铟镓硒薄膜光伏电池装置,包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层、导电窗口层及设于所述导电窗口层上的栅电极,其特征在于,所述栅电极为p型或n型的石墨烯薄膜。
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