[发明专利]铜铟镓硒薄膜光伏电池装置及其制备方法有效
申请号: | 201110422208.9 | 申请日: | 2011-12-15 |
公开(公告)号: | CN102522434A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 尹苓;肖旭东 | 申请(专利权)人: | 香港中文大学;中国科学院深圳先进技术研究院 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0749;H01L31/18 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 中国香港*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜光伏电池装置及其制备方法。该铜铟镓硒薄膜光伏电池装置包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层、导电窗口层及栅电极,其中,所述栅电极为p型或n型的石墨烯薄膜。近乎透明的石墨烯薄膜作为CIGS薄膜光伏电池装置的栅电极,最显著的优势是透光,单层石墨烯只吸收2.3%的光,相较之传统使用的Ni/Al栅极完全不透光,该光伏电池装置的有效受光面积增加,短路电流升高,电池效率也升高。 | ||
搜索关键词: | 铜铟镓硒 薄膜 电池 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种铜铟镓硒薄膜光伏电池装置,包括依次层叠设置的衬底、背电极层、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层、阻挡层、导电窗口层及设于所述导电窗口层上的栅电极,其特征在于,所述栅电极为p型或n型的石墨烯薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的