[发明专利]制造IC屏蔽镀膜的设备及IC的金属屏蔽膜层无效
| 申请号： | 201110420265.3 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN103132036A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 柳朝纶;邱耀弘;范淑惠 | 申请（专利权）人： | 晟铭电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;H05K9/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 中国台湾台北市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造IC屏蔽镀膜的设备及IC的金属屏蔽膜层。此设备包括一基座、一工件架、若干个中频磁控靶及若干个多弧离子靶。基座包括一腔体。工件架设于腔体中且与若干个转轴活动性地连接，各转轴系包括至少一治具，治具放置至少一IC。各中频磁控靶及各多弧离子靶设于腔体中，中频磁控靶及多弧离子靶用以将一金属材料溅镀于IC上，藉此于IC的一表面形成至少一金属屏蔽膜层。本发明还提供一种IC的金属屏蔽膜层，其包括利用所述制造IC屏蔽镀膜的设备于一IC的一表面上制成的至少一金属屏蔽膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 ic 屏蔽 镀膜 设备 金属 | ||
【主权项】：
一种制造IC屏蔽镀膜的设备，其包括：一基座，其包括一腔体；一工件架，设于所述腔体中，所述工作架与若干个转轴活动性地连接，各所述转轴包括至少一治具，所述治具放置至少一IC；以及若干个中频磁控靶及若干个多弧离子靶，所述中频磁控靶及所述多弧离子靶设于所述腔体中，所述中频磁控靶及所述多弧离子靶用以将一金属材料溅镀于所述IC上，藉此于所述IC的一表面形成至少一金属屏蔽膜层。
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