[发明专利]制造IC屏蔽镀膜的设备及IC的金属屏蔽膜层

权利要求书

1.一种制造IC屏蔽镀膜的设备，其包括：

一基座，其包括一腔体；

一工件架，设于所述腔体中，所述工作架与若干个转轴活动性地连接，各所述转轴包括至少一治具，所述治具放置至少一IC；以及

若干个中频磁控靶及若干个多弧离子靶，所述中频磁控靶及所述多弧离子靶设于所述腔体中，所述中频磁控靶及所述多弧离子靶用以将一金属材料溅镀于所述IC上，藉此于所述IC的一表面形成至少一金属屏蔽膜层。

2.如权利要求1所述的制造IC屏蔽镀膜的设备，其进一步包括一抽真空装置，所述抽真空装置设于所述腔体中，用以抽空所述腔体内的空气。

3.如权利要求1所述的制造IC屏蔽镀膜的设备，其进一步包括一加热装置，所述加热装置设于所述腔体中，用以提升所述腔体内的温度。

4.如权利要求1所述的制造IC屏蔽镀膜的设备，其进一步包括一偏压装置，所述偏压装置设于所述腔体中，用以对所述IC进行离子清洗。

5.如权利要求1所述的制造IC屏蔽镀膜的设备，其中所述中频磁控靶及所述多弧离子靶还用以将一化合物溅镀于所述至少一金属屏蔽膜层上，以形成一绝缘膜层。

6.如权利要求5所述的制造IC屏蔽镀膜的设备，其中所述金属材料包括钛、镍、铜及不锈钢。

7.如权利要求6所述的制造IC屏蔽镀膜的设备，其中所述多弧离子靶或所述中频磁控靶将钛或镍溅镀于所述IC的所述表面，以形成一第一金属屏蔽膜层，再经由所述中频磁控靶或所述多弧离子靶将铜溅镀于所述第一金属屏蔽膜层上，以形成一第二金属屏蔽膜层，再藉由所述多弧离子靶或所述中频磁控靶将不锈钢或镍溅镀于所述第二金属屏蔽膜层，以形成一第三金属屏蔽膜层，最后藉由所述中频磁控靶及所述多弧离子靶将氧化物、氮化物、碳化物或其组合的所述化合物溅镀于所述第三金属屏蔽膜层，以形成所述绝缘膜层。

8.如权利要求1所述的制造IC屏蔽镀膜的设备，其中所述工件架为中空的圆形盘。

9.如权利要求8所述的制造IC屏蔽镀膜的设备，其中所述工件架包括有若干连接端，所述连接端等距地设在所述工件架的一面，各所述连接端用以分别连接各所述转轴。

10.如权利要求9所述的制造IC屏蔽镀膜的设备，其中所述工件架为多轴公自转结构，藉由所述工件架及所述连接端的转动，以带动所述转轴公转及自转。

11.如权利要求8所述的制造IC屏蔽镀膜的设备，其中所述中频磁控靶位于所述工件架的外侧及内侧，所述多弧离子靶位于所述工件架的外侧。

12.如权利要求11所述的制造IC屏蔽镀膜的设备，其中所述中频磁控靶的一部份位于所述工件架的一端，所述中频磁控靶的另一部份位于所述工件架的相对另一端。

13.如权利要求1所述的制造IC屏蔽镀膜的设备，其中各所述中频磁控靶及各所述多弧离子靶具有一活动式闸门，所述活动式闸门用以保护未进行镀膜工作的所述中频磁控靶或所述多弧离子靶，使其避免镀上由进行镀膜工作的所述中频磁控靶或所述多弧离子靶所溅射出的所述金属材料。

14.一种IC的金属屏蔽膜层，其包括利用如权利要求1至13的任一项所述的制造IC屏蔽镀膜的设备于一IC的一表面上制成的至少一金属屏蔽膜层。