[发明专利]准单晶硅片的制绒方法无效
| 申请号： | 201110419867.7 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102468371A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 魏青竹;钱峰;陆俊宇;任军林;汪艳玲 | 申请（专利权）人： | 江苏腾晖电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215542 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种准单晶硅片的制绒方法，其特点在于包括以下步骤：首先，采用湿法刻蚀方法去除以晶粒为主的准单晶硅片上的机械损伤层。之后，根据晶粒所占比例，采用等离子体刻蚀与反应离子刻蚀进行准单晶制绒。由此，等离子刻蚀和反应离子刻蚀无需去离子水，化学试剂用量少。同时，反应产物的排放污染小，安全，环境友好。而且，制绒后准单晶硅片反射率低于15％，表面陷光效果好，电池片可充分发挥准单晶硅片优势。制绒后表面织构化不依赖于晶向和衬底条件。可靠性高，易控制，硅片消耗量少，利于更薄硅片应用。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 方法 | ||
【主权项】：
准单晶硅片的制绒方法，其特征在于包括以下步骤：步骤①，采用湿法刻蚀方法去除以晶粒为主的准单晶硅片上的机械损伤层；步骤②，根据晶粒所占比例，采用等离子体刻蚀与反应离子刻蚀进行准单晶制绒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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