[发明专利]一种硅晶片背面金属化前清洗的清洗液和清洗方法

摘要

本发明公开一种硅晶片的背面金属化前清洗的清洗液和清洗方法，应用于半导体器件生产领域。所述清洗液是用于对所述硅晶片背面的氧化层进行去除的无机溶液，和用于降低所述无机溶液去除所述氧化层速度的有机溶液的混合液，其中，所述无机溶液和所述有机溶液间能相互溶解且不发生化学反应。使用所述的清洗液浸泡所述硅晶片，对浸泡后的所述硅晶片进行冲洗，对冲洗完成后的所述硅晶片进行甩干干燥。通过所述清洗溶液以及清洗方法清洗可以有效的降低现有技术的清洗方法中金属和二氧化硅的选择比，大大地提高产品的良品率以及解决了采用手工作业方式不能去除正面揭膜后残留及其存在的安全性问题。

主权项

一种清洗液，用于硅晶片背面金属化前的清洗，其特征在于，所述清洗液是用于对所述硅晶片背面的氧化层进行去除的无机溶液，和用于降低所述无机溶液去除所述氧化层速度的有机溶液的混合液，其中，所述无机溶液和所述有机溶液间能相互溶解且不发生化学反应。