[发明专利]一种氚增殖用正硅酸锂小球密实化的方法有效
| 申请号： | 201110410998.9 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103159222A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 罗天勇 | 申请（专利权）人： | 核工业西南物理研究院 |
| 主分类号： | C01B33/32 | 分类号： | C01B33/32 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 11007 | 代理人： | 高尚梅 |
| 地址： | 610041 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于氚增殖和能量提取技术领域，具体公开一种氚增殖用正硅酸锂小球密实化的方法，该方法包括以下步骤：(1)将低密度正硅酸锂小球置于热等静压设备的炉腔中；(2)向热等静压设备的炉腔内充入氩气，控制炉腔中的压强达到20MPa以上；(3)逐步加温加压，炉腔温度提升至700-1000℃，压强提升至100-200MPa，维持高温高压状态1-4个小时；(4)炉腔冷却至100-200℃，泄压；将正硅酸锂小球取出，在空气中冷却至室温，即得到高密度的正硅酸锂小球。该方法能够将采用湿法工艺制备的低密度正硅酸锂小球的相对密度提高到95％以上，从而满足固态增殖剂实验包层模块对正硅酸锂小球核密度的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增殖 硅酸 小球 密实 方法 | ||
【主权项】：
一种氚增殖用正硅酸锂小球密实化的方法，该方法包括以下步骤：(1)将低密度正硅酸锂小球置于热等静压设备的炉腔中；(2)向热等静压设备的炉腔内充入氩气，控制炉腔中的压强达到20Mpa以上；(3)逐步加温加压，炉腔温度提升至700‑1000℃，压强提升至100‑200Mpa，维持高温高压状态1‑4个小时；(4)炉腔冷却至100‑200℃，泄压；将正硅酸锂小球取出，在空气中冷却至室温，即得到高密度的正硅酸锂小球。
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