[发明专利]真空装置无效

专利信息
申请号: 201110408198.3 申请日: 2006-06-28
公开(公告)号: CN102496555A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 下井英树;杉山浩之;久嶋浩之 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: H01J43/28 分类号: H01J43/28;H01J5/24
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于,即使在小型化的情况下,也能够充分地维持真空容器的气密性。光电子倍增管(1)包括:平板状的下侧基板(4)、设置在该下侧基板(4)上的框状的框架(3b)、包含夹着低熔点金属而气密地接合于该框架(3b)的开口部的框架(3a)的上侧基板(2)、以及在下侧基板(4)上的框架(3b)的内侧与框架(3b)并列设置的框状的突起(25b)。
搜索关键词: 真空 装置
【主权项】:
一种光电子倍增管,其特征在于,包括:平板状的基板;设立在所述基板上的框状的侧壁;以及夹着接合材料而气密地接合于所述侧壁的开口部的盖部件,所述接合材料是含有铟(In)的接合材料,所述侧壁由Si构成,在所述侧壁上的与所述盖部件接合的接合面,以及在所述盖部件上的与所述侧壁接合的接合面中的至少任何一者上,形成有多个凹陷部,所述多个凹陷部在沿着所述接合面的第1方向以及与沿着所述接合面的所述第1方向相垂直的第2方向上二维地排列,由所述基板、所述侧壁以及所述盖部件构成的真空容器的内部为真空状态,在所述盖部件的内面上形成有光电面,在与所述光电面相对的所述基板的内面上配置有电子倍增部,射向所述光电面的光的入射方向和在所述电子倍增部内的电子的运动方向交叉。
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