[发明专利]真空装置

权利要求书

1.一种光电子倍增管，其特征在于，包括：

平板状的基板；

设立在所述基板上的框状的侧壁；以及

夹着接合材料而气密地接合于所述侧壁的开口部的盖部件，

所述接合材料是含有铟(In)的接合材料，

所述侧壁由Si构成，

在所述侧壁上的与所述盖部件接合的接合面，以及在所述盖部件上的与所述侧壁接合的接合面中的至少任何一者上，形成有多个凹陷部，

所述多个凹陷部在沿着所述接合面的第1方向以及与沿着所述接合面的所述第1方向相垂直的第2方向上二维地排列，

由所述基板、所述侧壁以及所述盖部件构成的真空容器的内部为真空状态，

在所述盖部件的内面上形成有光电面，

在与所述光电面相对的所述基板的内面上配置有电子倍增部，

射向所述光电面的光的入射方向和在所述电子倍增部内的电子的运动方向交叉。

2.根据权利要求1所记述的光电子倍增管，其特征在于，

包括在所述基板上的所述侧壁的内侧与所述侧壁并列设置的框状的突起，

所述突起与所述侧壁一体地形成。

3.根据权利要求1或2所述的光电子倍增管，其特征在于，

具有多个所述突起。

4.根据权利要求3所述的光电子倍增管，其特征在于，

多个所述突起中除了形成于最内侧的突起之外的其他突起，夹着接合材料而与所述盖部件气密地接合。

5.根据权利要求3所述的光电子倍增管，其特征在于，

所述多个突起夹着接合材料而与所述盖部件气密地接合，形成在内侧的突起的沿着所述基板的内面的方向上的宽度，小于形成在外侧的突起的沿着所述内面的方向上的宽度，

所述接合材料是含有铟(In)的接合材料。

6.根据权利要求2所述的光电子倍增管，其特征在于，

在所述突起上形成有沟部，该沟部连通由所述突起包围的空间和所述突起的外侧的空间。