[发明专利]用于直拉硅单晶生长的双层坩埚无效
| 申请号： | 201110407868.X | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102409396A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 曾泽斌 | 申请（专利权）人： | 曾泽斌 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310013 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于直拉硅单晶生长的双层坩埚。它包括坩埚、坩埚内环、流液洞，坩埚内的中心设有坩埚内环，坩埚内环下端与坩埚底部接触处设有四个对称分布的流液洞，流液洞的直径为10～20mm，坩埚内环与坩埚同轴，坩埚和坩埚内环的壁厚为8～12mm，坩埚内环的外径d与坩埚的外径D之比为0.5～0.7，坩埚内环的高度h2与坩埚的高度h1之比为0.6～0.8。所述坩埚和坩埚内环的材料为石英玻璃、氮化硅陶瓷或碳化硅陶。本发明能够有效抑制硅单晶生长过程中硅熔体中的热对流，代替电磁场的作用，简单又节能。能有效降低石英坩埚的熔蚀速度，提高硅熔体表面中心区的温度稳定性，降低硅单晶中的氧浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 直拉硅单晶 生长 双层 坩埚 | ||
【主权项】：
一种用于直拉硅单晶生长的双层坩埚，其特征在于包括坩埚(24)、坩埚内环(23)、流液洞(25)，坩埚(24)内的中心设有坩埚内环(23)，坩埚内环(23)下端与坩埚(24)底部接触处设有四个对称分布的流液洞(25)，流液洞(25)的直径为10～20mm，坩埚内环(23)与坩埚(24)同轴，坩埚(24)和坩埚内环(23)的壁厚为8～12mm，坩埚内环(23)的外径d与坩埚(24)的外径D之比为 0.5～0.7，坩埚内环(23)的高度h2与坩埚(24)的高度h1之比为0.6～0.8。
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