[发明专利]一种基于电感补偿的射频超宽带低噪声放大器

摘要

本发明为一种基于电感补偿的射频超宽带低噪声放大器，涉及射频集成电路技术，本发明主要由输入放大级、反馈级、匹配级、负载级、偏置级和输出缓冲级电路共同组成。本发明的超宽带低噪声放大器在输入匹配级和负载级均采用了电感补偿，带有独立偏置的电流复用技术降低了低噪声放大器对工艺的敏感性，使得性能更加稳定，也实现了超大带宽，工作频率范围为0.1-12GHz，同时取得了良好的噪声、线性度、增益、功耗等指标，适用于超宽带多标准无线通信接收系统中。

主权项

一种基于电感补偿的射频超宽带低噪声放大器，包括输入放大级、反馈级、匹配级、负载级、偏置级和输出缓冲级，其特征在于该低噪声放大器电路中采用了电感补偿以实现在超宽带范围内的较为平坦的高增益，组成该低噪声放大器的电路结构和功能如下：所述的输入放大级由NMOS晶体管MN1、MN2以及PMOS晶体管MP1共同组成，用以实现对输入信号的放大功能；所述的反馈级由NMOS晶体管MN3、电阻Rf以及电容C1、C2共同组成，连接在输入放大级的输出端和输入端之间，用来在电路中实现反馈得到等效的输入阻抗，从而可以使匹配级实现输入阻抗匹配；所述的匹配级由带有ESD保护的焊盘寄生电容CP、片内电感L1、反馈器件MN3、Rf、C1、C2共同组成，这样可以实现输入阻抗匹配，从而获得良好的输入反射系数；所述的负载级由电阻RL、片内电感L2、电容CL组成，RL、L2起到为低噪声放大器提供负载从而实现正常放大信号的作用，CL为模拟低噪声放大器下一级(混频器)所引入的电容；所述的偏置级由电流源I1、I2，NMOS晶体管MN4、MN5、MN6、MN7，PMOS晶体管MP2，电阻R1、R2、R3共同组成，起到为低噪声放大器提供偏置电流的作用，以使得低噪声放大器各个通路可以正常工作；所述的输出缓冲级由NMOS晶体管MN8、电阻R4组成，可以将输出直流电位调整至合适的值，也可以对输出端口进行阻抗匹配，便于低噪声放大器流片后的单独测试；输入放大级与负载级实现对输入信号Vin放大，输入放大级输出端连接反馈级、负载级和输出缓冲级，输入放大级对信号进行放大后经MN2的漏端输出，通过反馈级反馈至输入放大级的输入端，同时MN2的漏端输出信号流入输出缓冲级，输出低噪声放大器的输出信号Vout，偏置级与输入放大级、反馈级相连接，为输入放大级和反馈级提供合适的偏置电流。