[发明专利]一种基于电感补偿的射频超宽带低噪声放大器有效
申请号: | 201110407647.2 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN102497167A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 刘洋;杨帆;于奇;张小龙;吴洪天;徐汝云 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03F1/42 | 分类号: | H03F1/42;H03F1/26;H03F3/189 |
代理公司: | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人: | 盛明洁 |
地址: | 610054 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 电感 补偿 射频 宽带 低噪声放大器 | ||
1.一种基于电感补偿的射频超宽带低噪声放大器,包括输入放大级、反馈级、匹配级、负载级、偏置级和输出缓冲级,其特征在于该低噪声放大器电路中采用了电感补偿以实现在超宽带范围内的较为平坦的高增益,组成该低噪声放大器的电路结构和功能如下:
所述的输入放大级由NMOS晶体管MN1、MN2以及PMOS晶体管MP1共同组成,用以实现对输入信号的放大功能;
所述的反馈级由NMOS晶体管MN3、电阻Rf以及电容C1、C2共同组成,连接在输入放大级的输出端和输入端之间,用来在电路中实现反馈得到等效的输入阻抗,从而可以使匹配级实现输入阻抗匹配;
所述的匹配级由带有ESD保护的焊盘寄生电容CP、片内电感L1、反馈器件MN3、Rf、C1、C2共同组成,这样可以实现输入阻抗匹配,从而获得良好的输入反射系数;
所述的负载级由电阻RL、片内电感L2、电容CL组成,RL、L2起到为低噪声放大器提供负载从而实现正常放大信号的作用,CL为模拟低噪声放大器下一级(混频器)所引入的电容;
所述的偏置级由电流源I1、I2,NMOS晶体管MN4、MN5、MN6、MN7,PMOS晶体管MP2,电阻R1、R2、R3共同组成,起到为低噪声放大器提供偏置电流的作用,以使得低噪声放大器各个通路可以正常工作;
所述的输出缓冲级由NMOS晶体管MN8、电阻R4组成,可以将输出直流电位调整至合适的值,也可以对输出端口进行阻抗匹配,便于低噪声放大器流片后的单独测试;
输入放大级与负载级实现对输入信号Vin放大,输入放大级输出端连接反馈级、负载级和输出缓冲级,输入放大级对信号进行放大后经MN2的漏端输出,通过反馈级反馈至输入放大级的输入端,同时MN2的漏端输出信号流入输出缓冲级,输出低噪声放大器的输出信号Vout,偏置级与输入放大级、反馈级相连接,为输入放大级和反馈级提供合适的偏置电流。
2.根据权利要求1所述的电感补偿的射频超宽带低噪声放大器,其特征在于反馈级和匹配级中的C1、C2为隔直电容,使得晶体管MN1和MP1具有相对独立的偏置,这样的好处为MN1与MP1的电流可以相对独立,而不受工艺偏差的影响,流过MN1、MP1的电流确定以后,那么负载电阻RL上面的压降基本恒定。
3.根据权利要求1所述的电感补偿的射频超宽带低噪声放大器,其特征在于匹配级和负载级分别采用了电感L1和L2进行频率补偿,从而可以实现本发明的超大带宽。
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