[发明专利]终端环的制造方法有效
| 申请号： | 201110407326.2 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103165450A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种终端环的制造方法；包括以下步骤：步骤1、沉积场氧与高阻多晶硅；步骤2、场氧层光刻，刻蚀多晶硅至氧化层，然后切换刻蚀工艺，以多晶硅为硬掩模层部分刻蚀场氧；步骤3、各向同性刻蚀场氧至硅基板；步骤4、沉积金属；步骤5、刻蚀金属，去掉高阻多晶硅表面的金属。本发明缩小终端环的面积，同时提高终端环的性能，降低工艺成本和工厂运营成本。 | ||
| 搜索关键词： | 终端 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种终端环的制造方法；其特征在于，包括以下步骤：步骤1、沉积场氧与高阻多晶硅；步骤2、场氧层光刻，刻蚀多晶硅至氧化层，然后切换刻蚀工艺，以多晶硅为硬掩模层部分刻蚀场氧；步骤3、各向同性刻蚀场氧至硅基板；步骤4、沉积金属；步骤5、刻蚀金属，去掉高阻多晶硅表面的金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
