[发明专利]提高10kV冷缩电缆头制作工艺无效
申请号: | 201110406688.X | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN102545104A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 杨爱宝;范丙光;刘剑宁;王磊;尹校;王伟 | 申请(专利权)人: | 山东电力集团公司东营供电公司 |
主分类号: | H02G1/06 | 分类号: | H02G1/06;H01R43/28 |
代理公司: | 东营双桥专利代理有限责任公司 37107 | 代理人: | 王锡洪 |
地址: | 257091 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及一种提高10kV冷缩电缆头制作工艺。其技术方案是:由以下制作步骤组成:(1)在软土层内置防水电缆井,防水电缆井内充填沙土,在防水电缆井的顶部设有混凝土层、人行道层;(2)为了防止剥离外半导体层时工艺不当,伤害电缆主绝缘而造成电缆击穿,采取以下措施:A)方法:半导体层的厚度在50-80微米之间,在外半导层剥离过程中,为使内绝缘层不受损伤,采用一刀切的方法进行剖割。有益效果是:降低了配电线路的异常障碍,同时在许多方面也创造了巨大经济效益和社会效益,减少了配电线路的停电次数,提高了供电可靠性,为广大用户减少了因停电带来的损失。 | ||
搜索关键词: | 提高 10 kv 冷缩 电缆 制作 工艺 | ||
【主权项】:
一种提高10kV冷缩电缆头制作工艺,其特征是由以下制作步骤组成:(1)在软土层内置防水电缆井,防水电缆井内充填沙土,在防水电缆井的顶部设有混凝土层、人行道层;(2)为了防止剥离外半导体层时工艺不当,伤害电缆主绝缘而造成电缆击穿,采取以下措施:A)方法:半导体层的厚度在50‑80微米之间,在外半导层剥离过程中,为使内绝缘层不受损伤,采用一刀切的方法进行剖割;B)位置与尺寸:下刀的深度在半导体层的1/2‑1/3之间,且中间不停顿,走直线一次完成;C)使用电缆刀尺寸:调整电缆刀刃的露出尺寸,刃厚为1000微米,通过电缆刀的刃锋调整到60微米以内就可满足以上条件。
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