[发明专利]一种制备硅基微三维结构的方法及其装置无效
| 申请号： | 201110404440.X | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102381682A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 张华;花国然;王强 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 | 代理人： | 吴静安 |
| 地址： | 226019 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备硅基微三维结构的方法及其装置，其方法是用激光加工和化学腐蚀同时对覆盖图形掩膜的硅片进行复合加工，激光沿着图形掩膜的预定轨迹进行扫描切割，同时化学溶液对激光加工表面进行化学刻蚀，光整加工表面。实现本发明方法的装置主要由激光器、图形掩膜、聚焦透镜、工作箱、工作台、集液槽和化学溶液循环过滤系统组成，工作箱连接工作台上，工作箱内侧设有空腔，一端设有窗口，图形掩膜粘接于硅片的上端面并置于空腔中，集液槽置于硅片下方，化学溶液循环过滤系统与空腔和集液槽连通，聚焦透镜和激光器置于窗口一侧，激光经聚焦透镜和窗口聚焦于硅片上。本发明优点是，可制备具有高宽比大、垂直度及表面质量好的硅基微三维结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 硅基微 三维 结构 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种制备硅基微三维结构的加工方法，其特征在于包括如下步骤：首先制作与所述微三维结构对应的图形掩膜，并将该图形掩膜覆盖粘接于所述硅片的上端面，接着聚焦激光束沿着图形掩膜上的预定轨迹对所述硅片进行扫描切割加工，同时用循环流动的化学溶液对激光加工表面进行化学刻蚀，光整所述加工表面并及时带走激光切割产物，最终加工出硅基微三维结构。
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