[发明专利]用于STI型LDMOS器件的界面陷阱测试方法有效
| 申请号： | 201110397005.9 | 申请日： | 2011-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102520331A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 何燕冬;张钢刚;刘晓彦;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于STI型LDMOS器件的界面陷阱测试方法，涉及高压半导体器件可靠性技术领域，该方法在STI型LDMOS器件的源极和衬底之间、漏极和衬底之间施加同一个正向偏置电压，同时施加栅极扫描电压，并测量衬底电流，由衬底电流的峰值的位置确定界面陷阱在STI型LDMOS器件中的STI区或沟道区。本发明直接利用STI型LDMOS器件为测试结构，节省了测试成本，且便于在测试中同时获取了STI区和沟道区界面陷阱的位置信息，且不对STI型LDMOS器件造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 sti ldmos 器件 界面 陷阱 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种用于STI型LDMOS器件的界面陷阱测试方法，其特征在于，在STI型LDMOS器件的源极和衬底之间、漏极和衬底之间施加同一个正向偏置电压，同时施加栅极扫描电压，并测量衬底电流，由衬底电流的峰值的位置确定界面陷阱在STI型LDMOS器件中的STI区或沟道区。
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