[发明专利]一种氧化铝薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110396374.6 | 申请日： | 2011-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102409293A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 王金晓;冯煜东;王艺;王志民;赵慨;速小梅;王虎;杨淼 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 杨志兵;李爱英 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化铝薄膜的制备方法，属于表面工程技术领域。所述方法包括以下步骤：将柔性聚合物薄膜基底放在真空室内，对真空室抽真空至真空室内压强≤2.0×10-3Pa；用离子源对基底进行氩离子轰击处理，提高镀制膜层的附着力；其中氩气流量为15sccm，离子束放电电压为280V，离子束电流为1A；采用氧离子束辅助脉冲反应磁控溅射技术沉积氧化铝薄膜，靶源为铝靶。制备过程中基底一直保持室温，避免了高温对柔性聚合物薄膜基底的损害。可以在柔性聚合物基底上实现高质量氧化铝薄膜的快速沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化铝 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化铝薄膜的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：(1)将柔性聚合物薄膜基底放在真空室内，对真空室抽真空至真空室内压强≤2.0×10‑3Pa；(2)用离子源对基底进行氩离子轰击处理；其中氩气流量为15sccm，离子束放电电压为280V，离子束电流为1A；(3)采用氧离子束辅助脉冲反应磁控溅射技术沉积氧化铝薄膜，靶源为铝靶，工艺参数如下：工作气体 氩气流量为8～15sccm； 离子源氧气体积分量为86％～89％；工作气压 0.3～0.5Pa；离子源电压 300～500V；离子束电流 0.85～1A；Al靶溅射功率 400～600W；溅射脉冲频率 20～25KHz；其中，所述氩气和氧气为纯度为99.99％的高纯气体。
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