[发明专利]一种限流保护电路以及集成该电路的DC-DC转换器有效

专利信息
申请号: 201110393505.5 申请日: 2011-12-02
公开(公告)号: CN102420520A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 周泽坤;李涅;王慧芳;石跃;明鑫;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 周永宏
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种限流保护电路以及集成该电路的DC-DC转换器。本发明的限流保护电路使得DC-DC转换器可以在轻度过载情况下控制误差放大器的输出电压不超过预设电压值,从而使PWM比较器能够正常控制调整管开启和关闭,继而限制电感电流的峰值;在重度过载或者输出短路情况下,通过增大振荡器输出方波和斜坡补偿锯齿波周期来削弱传输延迟造成的负面影响,从而有效的防止了大的电流拖尾产生,保护了转换器在任何故障状态下都能不受到损坏,并且由于限流保护电路的输出频率是线性变化的,启动过程中不会产生状态锁定现象,使转换器能够正常工作。
搜索关键词: 一种 限流 保护 电路 以及 集成 dc 转换器
【主权项】:
一种限流保护电路,其特征在于,包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管,第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管及一电容和一比较器,具体连接关系为:第一PMOS管、第二PMOS管的栅极均连接第一PMOS管的漏极,漏极分别连接第一NMOS管、第二NMOS管的漏极,第一PMOS管的源极连接外部的第一基准电压,第二PMOS管的源极作为限流保护电路的电压嵌位输出端;第一NMOS管、第二NMOS管的栅极均连接外部的第一偏置电压,源极均连接地;第三NMOS管的栅极连接第二NMOS管的漏极,漏极连接第二PMOS管的源极,源极连接地;第三PMOS管、第四PMOS管的栅极均连接外部的第二偏置电压,第三PMOS管的漏极连接第五PMOS管和第六PMOS管的源极,第四PMOS管的漏极连接第七NMOS管的漏极,第三PMOS管、第四PMOS管的源极均连接第一电源;第五PMOS管的栅极连接外部的第二基准电压、第六PMOS管的栅极作为限流保护电路的输入端子,第五PMOS管、第六PMOS管的漏极分别连接第四NMOS管、第五NMOS管的漏极;第四NMOS管、第五NMOS管的栅极均连接第四NMOS管的漏极,第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管的源极均连接地;第六NMOS管、第七NMOS管的栅极均连接第六NMOS管的漏极,第六NMOS管的漏极与第六PMOS管的漏极相连接;第八NMOS管的栅极连接比较器的输出端,漏极连接第七NMOS管的漏极和比较器的同向输入端并作为限流保护电路的锯齿波输出端,源极连接地;电容的一端连接第七NMOS管的漏极,另一端连接地;比较器的反向输入端连接外部的第三基准电压,输出端作为限流保护电路的方波输出端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110393505.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top