[发明专利]一种大球盖菇开沟种植方法无效

专利信息
申请号: 201110391613.9 申请日: 2011-12-01
公开(公告)号: CN102498949A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: 滕正平 申请(专利权)人: 滕正平
主分类号: A01G1/04 分类号: A01G1/04
代理公司: 昆明大百科专利事务所 53106 代理人: 何健
地址: 675300 云南省楚*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 一种大球盖菇开沟种植方法,本发明采用在种植时开沟铺料,让种植后的墒面和地面高度保持一致,该生产方法步骤如下:1)按传统方法和工艺备培养料;2)开墒种植;3)在开墒挖好的沟内进行铺培养料种植;4)盖覆盖物保温保水。本发明的有益效果是,针对大球盖菇生长的好湿性,需充足水分,怕虫害腐烂,不喜强烈阳光直射,适于温暖性气候的特性,本发明采用挖成沟的墒面进行叠层培植,让墒面和地面高度保持一致,既保湿,又透气,控温、保水,防阳光直射;在高原地区创造了十分适于大球盖菇的生长的环境条件,能够使大球盖菇在高原地区正常、高产地生长。
搜索关键词: 一种 大球盖菇开沟 种植 方法
【主权项】:
一种大球盖菇开沟种植方法,其特征在于,采用在种植时开沟铺料,让种植后的墒面和地面高度保持一致,该生产方法步骤如下:1)按传统方法和工艺备培养料,准备的种植培养料原料采用绝大部分为农作物桔杆和下脚料,将种植原料进行浸泡,浸泡液按照石灰与水为0.5:100~2:100比例的石灰水配制,根据原料的粗细,泡料时间为2~48小时,将浸泡后的种植原料进行堆捂,堆捂时间为3~15天,调均水分使水占种植原料的60~85%,拌均匀,平整种植地,挖排水沟使排水沟低于墒面沟,两头畅通能够排水; 2)开墒种植,将墒面挖成沟,沟形状为梯形或槽状,沟的宽度为30~120cm,深度5~20cm,对地块用生右灰进行消毒杀菌处理,每亩用生右灰量为10~30公斤,播撒均匀,再用低毒药品敌百虫或敌杀死或乐果或速杀灭丁作防虫处理,并对地块采用灭菌灵喷雾杀虫, 3)在开墒挖好的沟内进行铺培养料种植,种植分2至3层播种,种植分2层时即先铺培养料再撒种,再铺第二层料,撒第二层种;如果种植分3层,即先铺培养料再撒种,再铺第二层料,撒第二层种,再铺第三层料,撒第三层种,最后在种好的墒面盖3~8cm土;铺培养料厚度每层为2~12cm; 4)盖覆盖物保温保水,采用遮阴的覆盖物盖在墒面防阳光直射,控制温度4到32度,预防高温和低温,保持水分,水分保持为40%到90%。
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