[发明专利]一种光刻机曝光方法无效
| 申请号： | 201110391434.5 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102411267A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 朱骏;陈力钧 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张志杰 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻机曝光方法，包括在光刻机连续工作的过程中执行的如下步骤：步骤101、当具有第一温度的硅片被传送至具有第二温度的硅片载片台之后，将所述硅片在所述硅片载片台上静置预设时间，使得所述硅片与所述硅片载片台之间的温度相同；步骤102、在所述硅片形变完成后，开启真空设备使得所述硅片载片台吸住所述硅片；步骤103、进行对准和曝光操作。本发明提供的方法能够提高工艺套准精度，在光刻机的连续工作过程中实现了高度的硅片与硅片、批次与批次之间的均匀性，并且能够提高设备利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 曝光 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻机曝光方法，包括在光刻机连续工作的过程中执行的如下步骤：步骤101、当具有第一温度的硅片被传送至具有第二温度的硅片载片台之后，将所述硅片在所述硅片载片台上静置预设时间，使得所述硅片与所述硅片载片台之间的温度相同；步骤102、在所述硅片形变完成后，开启真空设备使得所述硅片载片台吸住所述硅片；步骤103、进行对准和曝光操作。
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