[发明专利]线切割晶体作图定向切割法有效
申请号: | 201110389561.1 | 申请日: | 2011-11-30 |
公开(公告)号: | CN102490277A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 陈屹立;荆旭华 | 申请(专利权)人: | 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司 |
主分类号: | B28D5/04 | 分类号: | B28D5/04 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 钱成岑;吴彦峰 |
地址: | 614200 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种线切割晶体作图定向切割法,属于晶体加工领域,步骤依次包括:通过X射线衍射仪分别测出两条过中心的垂直交叉直线方向上的晶向偏离度;采用分量合成方法作出晶体总的晶向偏离方向;作一条过中心且与总的晶向偏离方向垂直的直线为粘接轴Z,并确定总的晶向偏离方向相对粘接轴Z的左右偏离方向;设一水平直线为标准线,保持粘接轴Z竖直方向,且晶体中轴线按照上述左右偏离方向位于标准线左/右侧,调整晶体中轴线与标准线水平夹角为S,固定晶体并按标准线方向上机切割。本发明提出一种利用现有X射线衍射定向仪实现多台线切割机和内圆切割机共用一套定向设备的定向切割方法,大大减少设备费用。 | ||
搜索关键词: | 切割 晶体 作图 定向 | ||
【主权项】:
1.一种线切割晶体作图定向切割法,其特征在于步骤依次包括:A)在晶体端面作任意两条过中心的垂直交叉直线X轴与Y轴,通过X射线衍射仪分别测出两条轴线方向上的晶向偏离度;B)采用分量合成方法在晶体端面作出晶体总的晶向偏离方向,偏离角度值为S=
;C)作一条过中心且与总的晶向偏离方向垂直的直线,以此直线为粘接轴Z,并确定总的晶向偏离方向相对粘接轴Z的左右偏离方向;D) 设一水平直线为标准线,保持粘接轴Z竖直方向,且晶体中轴线按照上述左右偏离方向向标准线左/右侧偏转,调整晶体中轴线与标准线水平夹角为S,固定晶体并按标准线方向上机切割。
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