[发明专利]RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法，包括：在P型硅衬底上生长P型外延；在P型外延上生长ONO叠层；光刻和干刻打开场氧形成处的ONO叠层；光刻和干刻，间隔地打开ONO叠层，刻蚀深沟槽，干刻去除ONO叠层中顶部的氧化硅层，相邻深沟槽之间为侧壁，侧壁宽度为场氧厚度的0.5～0.7，深沟槽的宽度等于侧壁的宽度加0.5～2.0μm；对硅片进行场氧化，完全消耗侧壁；淀积非掺杂的多晶硅，回刻多晶硅，使深沟槽中多晶硅低于硅基板；进行二次热氧化，在多晶硅上方形成多晶硅再氧化层；去除氮化硅层和氧化硅热氧层。本发明隔离结构的厚度大大提高，形成的场氧和厚隔离在整个晶片表面形貌平整，降低了后续工艺中的缺陷，流程简单易行，最小化工艺成本。

主权项

一种RFLDMOS的厚隔离介质层结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：第1步，在P型硅衬底(1)上生长P型外延(2)；第2步，在P型外延(2)上生长一层氧化硅热氧层(3)，在氧化硅热氧层(3)上淀积一氮化硅层(4)，在氮化硅层(4)上再淀积一氧化硅层(5)，所述氧化硅热氧层(3)、氮化硅层(4)和氧化硅层(5)的厚度依次增加，形成ONO叠层；对ONO叠层进行光刻和干刻，打开场氧形成处的ONO叠层；第3步，进行光刻和干刻，间隔地打开ONO叠层，并在打开区域刻蚀深沟槽(7)，干刻去除ONO叠层中顶部的氧化硅层(5)；所述相邻深沟槽(7)之间为侧壁(8)，所述侧壁(8)的宽度为常规场氧厚度的0.5～0.7，深沟槽(7)的宽度等于侧壁(8)的宽度加0.5～2.0μm；第4步，对整个硅片进行场氧化形成常规场氧(9)，并完全消耗侧壁(8)，深沟槽(7)的宽度在0.5μm以上；第5步，淀积非掺杂的多晶硅(10)，回刻去除氮化硅层(5)上方及氮化硅层(5)之间的多晶硅，并使深沟槽(7)中多晶硅的高度低于非场氧区硅基板的高度，多晶硅(10)与非场氧区硅基板之间的高度差为800～2000埃；第6步，进行二次热氧化，在多晶硅(10)上方形成多晶硅再氧化层(11)，所述多晶硅再氧化层(11)与常规场氧(9)齐平；第7步，去除氮化硅层(4)和氧化硅热氧层(3)。