[发明专利]同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法有效
| 申请号： | 201110386793.1 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102445860A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 王剑;毛智彪;戴韫青 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，包括设计基准晶圆和基准图形；以一系列的曝光参数下的第一光刻机曝光基准晶圆，得到一系列的第一图形，并量测第一图形的尺寸结构；以一系列的曝光参数下的第二光刻机曝光基准晶圆，得到一系列的第二图形，并量测第二图形的尺寸结构；步骤4，选取相同尺寸结构的第一图形和第二图形所对应的曝光参数作为第一光刻机和第二光刻机的相应的基准曝光参数。本发明简单易行，大大减少了生产费用和工作时间，使不同光刻机产生的图形尺寸都能达到一致，保证了批量生产中晶圆产品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 同一 光刻 工艺 不同 匹配 方法 | ||
【主权项】：
一种同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，设计基准晶圆和基准图形；步骤2，以一系列的曝光参数下的第一光刻机曝光基准晶圆，得到一系列的第一图形，并量测第一图形的尺寸结构，所述第一图形的线宽尺寸与所述基准图形相同；步骤3，以一系列的曝光参数下的第二光刻机曝光基准晶圆，得到一系列的第二图形，并量测第二图形的尺寸结构，所述第二光刻机与第一光刻机应用于同一光刻工艺中，所述第二图形的线宽尺寸与所述基准图形相同；步骤4，选取相同尺寸结构的第一图形和第二图形所对应的曝光参数作为第一光刻机和第二光刻机的相应的基准曝光参数。
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