[发明专利]同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法

权利要求书

1.一种同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，设计基准晶圆和基准图形；

步骤2，以一系列的曝光参数下的第一光刻机曝光基准晶圆，得到一系列的第一图形，并量测第一图形的尺寸结构，所述第一图形的线宽尺寸与所述基准图形相同；

步骤3，以一系列的曝光参数下的第二光刻机曝光基准晶圆，得到一系列的第二图形，并量测第二图形的尺寸结构，所述第二光刻机与第一光刻机应用于同一光刻工艺中，所述第二图形的线宽尺寸与所述基准图形相同；

步骤4，选取相同尺寸结构的第一图形和第二图形所对应的曝光参数作为第一光刻机和第二光刻机的相应的基准曝光参数。

2.如权利要求1所述的同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，其特征在于，所述曝光参数为数值孔径或照明相干因子。

3.如权利要求1所述的同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，其特征在于，所述第一光刻机和/或第二光刻机为浸润式光刻机。

4.如权利要求3所述的同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，其特征在于，所述浸润式光刻机中的紫外线的波长为248nm或193nm。

5.如权利要求1所述的同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，其特征在于，所述基准图形的图形结构为密集线条、隔离线条、头对头线条或T字形线条。

6.如权利要求1所述的同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，其特征在于，所述基准图形的线宽尺寸与所述同一光刻工艺的特征尺寸相同。