[发明专利]基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201110385093.0 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102376874A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 张杨;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G01R33/09 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器，包括：一衬底，为半绝缘GaAs衬底或者半绝缘Si衬底；一复合缓冲层，该复合缓冲层为十字结构，该复合缓冲层生长在衬底上的中间部位；一下势垒层，该下势垒层生长在十字结构的复合缓冲层上；一下掺杂层，该下掺杂层生长在十字结构下势垒层上；一下隔离层，该下隔离层生长在十字结构的下掺杂层上；一沟道层，该沟道层生长在十字结构下隔离层上；一上隔离层，该上隔离层生长在十字结构沟道层上；一上掺杂层，该上掺杂层生长在十字结构上隔离层上；一上势垒层，该上势垒层生长在十字结构上掺杂层上；一帽层，该帽层生长在十字结构上势垒层上；欧姆接触电极，制作在十字结构的帽层的四端部的上面。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二维 电子 材料 半导体 磁敏型 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器，包括：一衬底，为半绝缘GaAs衬底或者半绝缘Si衬底；一复合缓冲层，该复合缓冲层为十字结构，该复合缓冲层生长在衬底上的中间部位；一下势垒层，该下势垒层生长在十字结构的复合缓冲层上；一下掺杂层，该下掺杂层生长在十字结构下势垒层上；一下隔离层，该下隔离层生长在十字结构的下掺杂层上；一沟道层，该沟道层生长在十字结构下隔离层上；一上隔离层，该上隔离层生长在十字结构沟道层上；一上掺杂层，该上掺杂层生长在十字结构上隔离层上；一上势垒层，该上势垒层生长在十字结构上掺杂层上；一帽层，该帽层生长在十字结构上势垒层上；欧姆接触电极，制作在十字结构的帽层的四端部的上面。
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