[发明专利]确定热载流子注入应力测试条件的方法

摘要

本发明提供了一种确定热载流子注入应力测试条件的方法，包括如下步骤：选择一MOS器件，在至少3个不同Vd下分别测量所述器件的Isub-Vg曲线，该Vd均小于等于器件的工作电压；对于每一根Isub-Vg电压曲线，分别找出Isubmax，并读取所述Isubmax下的Vg电压值；用上述步骤中得到的数值，作出Vg-Vd关系图；将Vg-Vd关系图用线性函数拟合，得到拟合公式；根据上述步骤得到的拟合公式，推算得到3个Vd stress下的Vg应力电压值，即为HCI应力测试条件。采用此发明方法可以利用较少的样品数进行HCI测试，减少了测试成本。

主权项

一种确定热载流子注入应力测试条件的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一MOS器件，对所述器件MOS进行热载流子注入实验，在至少3个以上不同漏极电压下分别测量所述MOS器件的衬底电流与栅极电压曲线，其中，所述漏极电压均小于等于MOS器件的工作电压；步骤2：对于各个漏极电压所对应的衬底电流与栅极电压曲线，分别找出衬底电流最大值，并读取衬底电流最大值所对应的栅极电压值；步骤3：根据步骤2得到的不同漏极电压下衬底电流最大值所对应的栅极电压值，制作出栅极电压与漏极电压关系图；步骤4：将步骤3得到的栅极电压与漏极电压关系图用线性函数拟合，得到拟合公式，y＝Ax+B其中，x为漏极电压值，y代表拟合得出的所测试的MOS器件的栅极电压值，A、B为常数；步骤5：根据步骤4的拟合公式，选用至少3个漏极应力电压作为x值代入，将分别计算得到的y值作为栅极应力电压值，并由各个漏极应力电压值及其相应的栅极应力电压值分别构成热载流子注入应力测试条件。