[发明专利]结合超级结双面沟槽型IGBT器件制造方法无效
| 申请号： | 201110383504.2 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102412151A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 王海军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种结合超级结双面沟槽型IGBT器件制造方法，包括以下步骤：在N型衬底上，硅片正面曝光图形，进行P柱的刻蚀，进行刻蚀形成槽；对孔或槽成长高掺杂B的外延；进行外延的研磨，研磨至单晶硅的表面；进行沟槽栅的曝光定义；成长掺杂N型多晶；对多晶栅进行刻蚀；正面进行源和P阱的注入和推阱；背面进行深沟槽的刻蚀，沟槽的宽度小于沟槽内磷离子扩散的长度；然后进行N型多晶硅的填充，进行高温长时间推阱，使得多晶之间N型载流子连接在一起；然后对背面进行注入硼离子，并进行激活；进行集电极的蒸金。本发明通过P柱和N型衬底的耗尽达到耐压和进一步降低比导通电阻的效果，使得电流密度更大，减小了通态时的电阻和焦耳热，使得关断响应速度更快。 | ||
| 搜索关键词： | 结合 超级 双面 沟槽 igbt 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种结合超级结双面沟槽型IGBT器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在N型衬底上，硅片正面曝光图形，进行P柱的刻蚀，进行刻蚀形成槽；对孔或槽成长高掺杂B的外延；进行外延的研磨，研磨至单晶硅的表面；进行沟槽栅的曝光定义；成长掺杂N型多晶；对多晶栅进行刻蚀；正面进行源和P阱的注入和推阱；背面进行深沟槽的刻蚀，沟槽的宽度小于沟槽内磷离子扩散的长度；然后进行N型多晶硅的填充，进行高温长时间推阱，使得多晶之间N型载流子连接在一起；然后对背面进行注入硼离子，并进行激活；进行集电极的蒸金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
