[发明专利]激光器及其形成方法、谐振腔及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201110379490.7 申请日: 2011-11-24
公开(公告)号: CN102496851A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 唐文涛 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01S5/10 分类号: H01S5/10;H01S5/12
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种激光器及其制作方法、谐振腔及其制作方法,其中所述激光器包括:工作介质区域;谐振腔,包括分别紧邻所述工作介质区域的相对两侧的两个类光栅结构,每一类光栅结构由相邻的单位厚度的第一介质与单位厚度的第二介质构成的子单元周期性重复排布而成,其排布所延伸的方向与预设的激光传出方向一致,其中第一介质和第二介质的折射率不同。本发明的激光器中的谐振腔结构制作简单,并且尤其适用于在硅基底上制作,可以与硅基底的器件集成在一块芯片上,而本发明的激光器,由于其内的谐振腔可以与硅基底的器件集成在一块芯片上,因而也提高了激光器与半导体器件的集成度,扩大了激光器的应用范围。
搜索关键词: 激光器 及其 形成 方法 谐振腔
【主权项】:
一种激光器,其特征在于,包括:工作介质区域;谐振腔,包括分别紧邻所述工作介质区域的相对两侧的两个类光栅结构,每一类光栅结构由相邻的单位厚度的第一介质与单位厚度的第二介质构成的子单元周期性重复排布而成,其排布方向与预设的激光传出方向一致,其中第一介质和第二介质的折射率不同。
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