[发明专利]一种高性能铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 201110379137.9 | 申请日: | 2011-11-24 |
公开(公告)号: | CN102515760A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 李月明;肖祖贵;沈宗洋;王竹梅;洪燕;吴芬;刘涛 | 申请(专利权)人: | 景德镇陶瓷学院 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622 |
代理公司: | 广州广信知识产权代理有限公司 44261 | 代理人: | 李玉峰 |
地址: | 333001 江西省景*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种高性能铌酸钾钠基无铅压电陶瓷,以通式(1-x)(KaNab)cLid(NbeTafSbg)O3-xBaZrO3表示,其中a、b、c、d、e、f、g为摩尔分数,0.35<a≤0.6、0.35<b≤0.6、0.92<c≤0.99、0<d≤025、0.74<e≤0.89、0.1<f≤0.3、0.01≤g<0.3;x表示BaZrO3对(KaNab)cLid(NbeTafSbg)O3的摩尔百分比,0≤x≤30%。此外还公开了上述高性能铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备方法。本发明显著提高了陶瓷材料的压电和介电性能,从而获得性能优异且稳定的压电材料,应用中可完全取代传统的铅基压电陶瓷,具有重要的实际意义和社会效益。 | ||
搜索关键词: | 一种 性能 铌酸钾钠基无铅 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高性能铌酸钾钠基无铅压电陶瓷,其特征在于:以通式(1‑x)(KaNab)cLid(NbeTafSbg)O3‑xBaZrO3表示,其中a、b、c、d、e、f、g为摩尔分数,0.35<a≤0.6、0.35<b≤0.6、0.92<c≤0.99、0<d≤0.25、0.74<e≤0.89、0.1<f≤0.3、0.01≤g<0.3;x表示BaZrO3对(KaNab)cLid(NbeTafSbg)O3的摩尔百分比,0≤x≤30%。
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