[发明专利]含聚芳醚腈与氧化铕的复合荧光薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201110378293.3 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102516740A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 刘孝波;唐海龙;杨建 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C08L71/10 | 分类号： | C08L71/10;C08K3/22;C08J5/18;C09K11/78 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 含聚芳醚腈与氧化铕的复合荧光薄膜及其制备方法，属于功能材料技术领域。所述复合荧光薄膜包含96～99％质量分数的含羧基侧基的聚芳醚腈和1～4％质量分数的氧化铕。制备时先将96～99％质量分数的含羧基侧基聚芳醚腈溶于N-甲基吡咯烷酮，然后加入1～4％质量分数的氧化铕，超声分散，200℃下回流搅拌2～4小时，再蒸发掉部分有机溶剂后流延于干燥洁净的玻璃板上成膜，最后在160～200℃下烘干4～6小时，自然冷却后得到所述复合荧光薄膜。本发明所制备的复合荧光薄膜具有很好的热稳定性和化学稳定性，优异的力学性能，对可见光高透，对紫外光高吸收，且具有很好的宏观可柔性，紫外激发下发出很强的红色特征荧光。其制备方法简单，适合于制作大面积复合荧光薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 含聚芳醚腈 氧化 复合 荧光 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
含聚芳醚腈与氧化铕的复合荧光薄膜，包含96～99％质量分数的基体材料和1～4％质量分数的填充材料；所述基体材料为含羧基侧基的聚芳醚腈，所述填充材料为氧化铕。
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