[发明专利]一种环路补偿电路有效

专利信息
申请号: 201110376822.6 申请日: 2011-11-23
公开(公告)号: CN103135642A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 袁志勇 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: G05F1/10 分类号: G05F1/10
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种环路补偿电路,包括:运算放大器OPA,其负输入端接基准电压,其正输入端通过电阻R2接地,其输出端接PMOS管P1栅极;PMOS管P1,其源极接电源,其漏极通过电阻R1和R2接地;电容C,其正端接PMOS管P1栅极,其负端接NMOS管N3源极;NMOS管N3,其栅极接PMOS管P1漏极,其漏极接电源,其源极接NMOS管N2漏极;NMOS管N1,其源极与NMOS管N2源极相连后接地,其与NMOS管N2栅极相连,其漏极接配置电流ibias;NMOS管N1、N2、N3衬底接地;其中,NMOS管N3其源极通过NMOS管Nb接NMOS管N2漏极;NMOS管Nb其漏极接NMOS管N3源极,其源极接NMOS管N2漏极,其栅极接偏置电压vbia,其衬底接地。本发明环路补偿电路,在不增加额外功耗、保证相位裕度和增益裕度不变的前提下能降低电容数值,减小版图面积。
搜索关键词: 一种 环路 补偿 电路
【主权项】:
一种环路补偿电路,包括:运算放大器(OPA),其负输入端接基准电压,其正输入端通过电阻(R2)接地,其输出端接PMOS管(P1)栅极;PMOS管(P1),其源极接电源,其漏极通过电阻(R1)和电阻(R2)接地;电容(C),其正端接PMOS管(P1)栅极,其负端接NMOS管(N3)源极;NMOS管(N3),其栅极接PMOS管(P1)漏极,其漏极接电源,其源极接NMOS管(N2)漏极;NMOS管(N1),其源极与NMOS管(N2)源极相连后接地,其与NMOS管(N2)栅极相连,其漏极接配置电流(ibias);NMOS管(N1、N2、N3)衬底接地;其特征是:NMOS管(Nb)其漏极接NMOS管(N3)源极,其源极接NMOS管(N2)漏极,其栅极接偏置电压(vbia),其衬底接地。
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