[发明专利]处理低K介电膜的方法无效
| 申请号： | 201110375127.8 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102543850A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 安娜马莱·雷克什马南;崔振江;梅休尔·内克;西伊-恩·潘;珍妮弗·山;保尔·F·马 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种方法，用于在消耗低k膜中碳的工艺之后将碳重新加入到该膜中。此外，还描述了一种用于补偿被消耗碳并用氮化钽覆盖的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 介电膜 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，包括：将半导体器件基板定位在处理室中，该半导体器件基板包括已经被暴露到去除低k介电层中一部分碳的工艺中的含碳低k介电层；以及使有机碳源或者含碳有机金属复合物中的一种或多种在低k介电层上方流动以补充从所述层中消耗的至少一部分碳，该有机碳源包括分子式为R1‑CH3或R1(R2)N(R3)CH3的化合物，其中R1和R2各独立地为氢、碳在1至6范围内的取代或未取代的脂肪基、或者具有2至8原子环的芳基，和R3是具有0至6个碳且被取代或未被取代的脂肪基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
