[发明专利]一种二维电子气结构的霍尔元件及其制备方法无效
| 申请号： | 201110375099.X | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102403450A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 李博;刘洪刚;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/04;H01L43/06;H01L43/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及霍尔元件技术领域，公开了一种蓝宝石衬底GaN/AlN/AlGaN二维电子气结构的霍尔元件及其制备方法，以及该二维电子气结构的霍尔元件的外延材料结构。本发明公开的霍尔元件能够工作在300摄氏度以上和-50摄氏度以下等极端温度条件。同时从小型化和可批量生产的角度，提出了一种面积利用率最优化设计。最后提供了霍尔元件制备工艺流程。该霍尔元件经过灵敏度测试，其灵敏度高达7.28mV/mA*KGs。本发明提供的霍尔元件结构和制备方法，也可以应用在其他衬底材料的霍尔元件制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 电子 结构 霍尔 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二维电子气结构的霍尔元件，其特征在于，该霍尔元件采用十字叉指结构，电极位于该十字叉指结构的四个角上。
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