[发明专利]一种SiBNC块状陶瓷的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110374931.4 申请日: 2011-11-22
公开(公告)号: CN102503423A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: 余木火;刘振全;彭雨晴;韩克清;张婧;王征辉;邓智华;孙泽玉;李新达;牟世伟 申请(专利权)人: 东华大学
主分类号: C04B35/515 分类号: C04B35/515;C04B35/622
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人: 黄志达;谢文凯
地址: 201620 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种SiBNC块状陶瓷制备方法,包括:(1)将TADB与甲胺反应,得到单体BSZ;然后将上述单体聚合得到前驱体聚合物聚硅氮硼烷;(2)将上述聚硅氮硼烷放入反应容器中,在惰性气氛下加热进行交联处理,得到不熔化前驱体,粉碎,得到不熔化前驱体粉末;(3)将上述的不熔化前驱体粉末放入模具中,热压成型后降到室温,并在降温过程中逐渐释放压力,得到热压成型后的不熔化样品;(4)将上述热压成型后的不熔化样品放入反应容器中,在惰性气氛下,进行高温烧结,然后降至室温,即得。本发明制备方法简单,反应条件要求不高;本发明所得的块状SiBNC陶瓷成分均匀,气孔小而分布均匀,密度大,无裂纹,具有优良的力学性能。
搜索关键词: 一种 sibnc 块状 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
一种SiBNC块状陶瓷的制备方法,包括:(1)将TADB的甲苯溶液滴加至甲胺的甲苯溶液中,在‑95℃‑10℃下反应1‑10h,过滤,将滤液蒸馏,得到单体BSZ氮甲基硅氮硼烷;然后将上述单体BSZ在80‑230℃,聚合6‑40小时得到前驱体聚合物聚硅氮硼烷PBSZ;(2)将上述前驱体聚合物聚硅氮硼烷PBSZ放入反应容器中,在惰性气氛下,升温至200‑500℃,进行交联处理,保温2‑30h,得到不熔化前驱体,球墨粉碎1‑5h,得到粒径<200um不熔化前驱体粉末;(3)将上述的不熔化前驱体粉末放入模具中,升温到80‑500℃,在40‑750Mpa压力下保持0.1‑5h,热压成型后降到室温,并在降温过程中逐渐释放压力,得到热压成型后的不熔化样品;(4)将上述热压成型后的不熔化样品放入反应容器中,在惰性气氛下,升温至800‑2000℃,进行高温烧结,保温0.1‑20h,然后降至室温,得到SiBNC块状陶瓷。
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