[发明专利]形成硅酸盐抛光垫的方法有效
| 申请号： | 201110371460.1 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102463531A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | D·M·奥尔登;A·R·旺克;R·加焦尼;M·E·加泽;J·K·搜;D·德罗普;S·利雷;M·T·班赫 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B24D18/00 | 分类号： | B24D18/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡嘉倩 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明方法提供了一种制备含硅酸盐的抛光垫的方法，所述方法包括向气体喷嘴中引入气体填充的聚合物微元件的进料物流。将气体喷射流中气体填充的微元件通入柯安达(Coanda)块附近。分隔粗聚合物微元件与柯安达块的弯曲壁，以清洁所述聚合物微元件。收集的聚合物微元件包含总量小于0.1重量％的聚合物微元件，所述聚合物微元件与特定组分结合。向聚合物基质中插入清洁的聚合物微元件，形成抛光垫。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 硅酸盐 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种制备含硅酸盐的抛光垫的方法，所述抛光垫用于对半导体基片、磁性基片和光学基片中的至少一种进行抛光，所述方法包括：a.向气体喷射流中引入气体填充的聚合物微元件的进料物流，所述聚合物微元件具有变化的密度、变化的壁厚度和变化的粒度，所述聚合物微元件具有分布在聚合物微元件的外表面上的含硅酸盐的区域，所述含硅酸盐的区域被分隔开，从而覆盖所述聚合物微元件1‑40％的外表面；并且与以下组分总量超过0.1重量％的组分相结合：i)硅酸盐颗粒，所述硅酸盐颗粒的粒度大于5μm；ii)含硅酸盐的区域，所述含硅酸盐的区域覆盖所述聚合物微元件超过50％的外表面；和iii)聚合物微元件，所述聚合物微元件与硅酸盐颗粒团聚至平均簇尺寸大于120μm；b.将气体喷射流中气体填充的微元件通入柯安达块附近，所述柯安达块具有弯曲壁，通过柯安达效应、惯性和气流阻力来分隔所述聚合物微元件。c.将粗聚合物微元件与柯安达块的弯曲壁分离，以清洁所述聚合物微元件；d.收集聚合物微元件，小于所述聚合物微元件总量的0.1重量％的聚合物微元件与以下组分相结合：i)硅酸盐颗粒，所述硅酸盐颗粒的粒度大于5μm；ii)含硅酸盐的区域，所述含硅酸盐的区域覆盖所述聚合物微元件超过50％的外表面；和iii)聚合物微元件，所述聚合物微元件与硅酸盐颗粒团聚至平均簇尺寸大于120μm；和e.向聚合物基质中插入所述聚合物微元件，形成抛光垫。
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