[发明专利]XMR角度传感器有效
| 申请号： | 201110367746.2 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102538659B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | J.齐默 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/30 | 分类号： | G01B7/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;蒋骏 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及XMR角度传感器。实施例涉及xMR传感器、传感器元件和结构、以及方法。在一个实施例中，传感器元件包括非细长xMR结构；以及在xMR结构上形成的多个接触区，所述多个接触区彼此间隔开使得当在所述多个接触区之间施加电压时，在xMR结构中感应非均匀电流方向和电流密度分布。 | ||
| 搜索关键词： | xmr 角度 传感器 | ||
【主权项】：
一种xMR角度传感器元件，包括：非细长xMR结构；以及在xMR结构上形成的多个接触区，所述多个接触区彼此间隔开且每一个紧接于所述xMR结构的边缘，使得当在所述多个接触区之间施加电压时，在xMR结构中感应非均匀电流方向和电流密度分布。
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