[发明专利]XMR角度传感器

权利要求书

1.一种传感器元件，包括：

非细长xMR结构；以及

在xMR结构上形成的多个接触区，所述多个接触区彼此间隔开使得当在所述多个接触区之间施加电压时，在xMR结构中感应非均匀电流方向和电流密度分布。

2.根据权利要求1所述的传感器元件，其中，所述多个接触区中的每一个紧接于所述xMR结构的边缘。

3.根据权利要求1所述的传感器元件，其中，在所述xMR结构的最大横向尺寸的方向上定义第一轴，并且，与所述第一轴基本上垂直地定义第二轴，其中，所述xMR结构沿所述第一轴和所述第二轴的尺寸之比小于大约1.5。

4.根据权利要求1所述的传感器元件，其中，所述xMR结构具有相等的横向尺寸。

5.根据权利要求1所述的传感器元件，其中，所述xMR结构是旋转对称的。

6.根据权利要求1所述的传感器元件，其中，所述xMR结构是多边的，并且其中多边xMR结构的相邻边之间的交点遵循旋转对称。

7.根据权利要求1所述的传感器元件，其中，所述xMR结构是多边的，并且其中多边xMR结构的相邻边之间的交点基本上是在圆上均匀分布的。

8.根据权利要求1所述的传感器元件，其中，所述xMR结构具有半径。

9.根据权利要求8所述的传感器元件，其中，所述xMR结构基本上是圆形的。

10.根据权利要求1所述的传感器元件，还包括与所述多个接触区中的至少一个相邻布置的至少一个高度导电区。

11.根据权利要求1所述的传感器元件，包括串行耦合的多个xMR结构。

12.根据权利要求11所述的传感器元件，其中，所述传感器元件的净电流方向定义了期望轴，其中，所述多个xMR结构中的第一个在其轴与期望轴之间具有第一角度，并且其中所述多个xMR结构中的第二个在其轴与期望轴之间具有第二角度，所述第一角度和所述第二角度相等但具有相反的符号。

13.根据权利要求1所述的传感器元件，其中，所述多个接触区包括通孔。

14.根据权利要求1所述的传感器元件，其中，所述多个接触区包括条带。

15.根据权利要求1所述的传感器元件，其中，所述多个接触区被配置为提供所述xMR结构的与同均匀电流密度分布相关联的电阻相比增大的电阻。

16.根据权利要求1所述的传感器元件，其中，所述xMR结构的直径处于大约1微米（μm）至大约100 μm的范围内。

17.根据权利要求16所述的传感器元件，其中，所述xMR结构的直径处于大约5 μm至大约20 μm的范围内。

18.一种传感器，包括：

第一非细长xMR元件，具有在该第一xMR元件上形成的多个接触区，所述多个接触区彼此间隔开使得当在所述多个接触区之间施加电压时，在第一xMR元件中感应局部非均匀电流方向和电流密度分布，并且第一xMR元件中的净电流方向定义了第一轴；以及

第二非细长xMR元件，具有在该第二xMR元件上形成的多个接触区，所述多个接触区彼此间隔开使得当在所述多个接触区之间施加电压时，在第二xMR元件中感应局部非均匀电流方向和电流密度分布，并且第二xMR元件中的净电流方向定义了第二轴，所述第二轴基本上相对于所述第一轴正交。

19.根据权利要求18所述的传感器，其中，所述多个接触区中的每一个紧接于相应xMR结构的边缘。

20.根据权利要求18所述的传感器，其中，所述第一xMR元件或所述第二xMR元件中的至少一个包括巨磁阻（GMR）元件或隧道磁阻（TMR）元件之一。

21.根据权利要求18所述的传感器，其中，所述第一xMR元件或所述第二xMR元件中的至少一个包括各向异性磁阻（AMR）元件，并且其中所述AMR元件对外部磁场不敏感。

22.根据权利要求18所述的传感器，其中，所述第二xMR元件通过xMR部分而耦合至所述第一xMR元件。