[发明专利]晶片表面清洗装置及清洗方法无效
| 申请号： | 201110365910.6 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102416391A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 刘海晓;吴仪 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/02 | 分类号： | B08B3/02;B08B13/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100016 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶片表面清洗装置，涉及半导体晶片工艺技术领域，包括：平台、设置在所述平台上的至少一个主喷头，还包括至少一个设置在所述平台上的辅助喷头，用于向待清洗的晶片表面喷液，使形成一层覆盖所述晶片表面的液体缓冲层。还公开了一种晶片表面清洗方法，在主喷头向所述待清洗晶片表面喷洒清洗液前及清洗过程中，为保证液体缓冲层完全覆盖待清洗晶片表面，辅助喷头间隔地喷洒液体。本发明通过液体缓冲层避免了高速的纳米级液滴直接冲击晶片上的图案，从而减小了对晶片的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 表面 清洗 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片表面清洗装置，包括：平台、设置在所述平台上的至少一个主喷头，其特征在于，还包括至少一个设置在所述平台上的辅助喷头，用于向待清洗的晶片表面喷液，使形成一层覆盖所述晶片表面的液体缓冲层。
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