[发明专利]晶片表面清洗装置及清洗方法

权利要求书

1.一种晶片表面清洗装置，包括：平台、设置在所述平台上的至少一个主喷头，其特征在于，还包括至少一个设置在所述平台上的辅助喷头，用于向待清洗的晶片表面喷液，使形成一层覆盖所述晶片表面的液体缓冲层。

2.如权利要求1所述的晶片表面清洗装置，其特征在于，所述主喷头和辅助喷头均包括：旋转臂、喷嘴、液体导管，所述喷嘴固定在所述液体导管的一端，所述液体导管固定在旋转臂上，所述旋转臂一端可旋转地固定在所述平台上。

3.如权利要求2所述的晶片表面清洗装置，其特征在于，所述旋转臂为中空结构，所述液体导管位于旋转臂内部。

4.如权利要求2所述的晶片表面清洗装置，其特征在于，所述旋转臂为实心结构，所述液体导管固定在旋转臂外部。

5.如权利要求2～4中任一项所述的晶片表面清洗装置，其特征在于，所述主喷头和辅助喷头各自的旋转臂在平台上相对于晶片所在的圆周均匀分布。

6.一种晶片表面清洗方法，其特征在于，在主喷头向待清洗晶片表面喷洒清洗液前及清洗过程中，采用辅助喷头向待清洗的晶片表面喷液，使形成一层覆盖所述待清洗晶片表面的液体缓冲层。

7.如权利要求6所述的晶片表面清洗方法，其特征在于，在主喷头向所述待清洗晶片表面喷洒清洗液的过程中，在保证液体缓冲层完全覆盖待清洗晶片表面的情况下，辅助喷头间隔地喷洒液体。

8.如权利要求6所述的晶片表面清洗方法，其特征在于，在清洗过程中，所述主喷头和辅助喷头之一或都在所述待清洗晶片上方的区域范围内运动。

9.如权利要求8所述的晶片表面清洗方法，其特征在于，若有主喷头和辅助喷头在所述待清洗晶片上方的区域范围内运动时，至少有一个主喷头和辅助喷头运动方向相反。

10.如权利要求6～9中任一项所述的晶片表面清洗方法，其特征在于，所述辅助喷头喷出的液体包括：水或与所述清洗液。