[发明专利]一种陶瓷元件局部表面化学镀NiP-Cu电极制造工艺有效
申请号: | 201110364229.X | 申请日: | 2011-11-16 |
公开(公告)号: | CN102409322A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 杨新宇;徐莹;朴亚东;张革;王英男 | 申请(专利权)人: | 鞍山市中普仪表电子设备有限公司 |
主分类号: | C23C18/36 | 分类号: | C23C18/36;C23C18/40;C23C18/18 |
代理公司: | 鞍山嘉讯科技专利事务所 21224 | 代理人: | 张群 |
地址: | 114014 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及一种陶瓷元件局部表面化学镀NiP-Cu电极的制造工艺,特别涉及一种用贱金属铜或镍用化学沉积法制造电极的工艺。该工艺包括陶瓷元件制备、清洗干燥、粗化、印刷、活化、浸泡、预镀、镀铜、脱水干燥、热处理、焊接、测试等步骤。本发明的优点是该工艺陶瓷元件的表面贱金属层的附着力高、性能好,易焊接;局部进行化学镀,工艺简单,也免去了以往全电极化学镀工艺的粘、磨、散工艺;节省了原材料,降低了成本,成本降低为原来的五分之一;完善了镀液的配方,可实现陶瓷元件局部表面化学镀的批量生产。本发明适用于所有陶瓷元件的电极制造。 | ||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 元件 局部 表面 化学 nip cu 电极 制造 工艺 | ||
【主权项】:
一种陶瓷元件局部表面化学镀NiP‑Cu电极制造工艺,其特征在于,包括如下步骤:1)对陶瓷元件进行清洗、干燥;2)粗化处理、清洗;3)印刷;在陶瓷元件需金属化的部位被覆催化浆料,烘干;4)活化处理;将步骤3)中烘干后的陶瓷元件进行高温活化处理;5)预镀;将经高温活化处理后的陶瓷元件置于预镀液中,在40‑50℃条件下滚镀,在陶瓷元件经活化处理的部位形成Ni‑P合金镀层;所述的每升预镀液中,加入以下成分:硫酸镍1‑10克,次亚磷酸钠30‑60克,稳定剂0.2‑3克;6)镀铜;将预镀后的陶瓷元件移入镀铜液中,在40‑50℃条件下滚镀,调PH=11.9~12.6,通入压缩空气进行空气搅拌,滚镀20‑40分钟;7)脱水干燥;8)热处理;烘箱200‑500℃,热处理10‑60分钟;9)将镀铜后的陶瓷元件进行浸焊,并进行电性能测试。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
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