[发明专利]具有高形状各向异性的XMR传感器有效
| 申请号： | 201110360959.2 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102565505A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | O.屈恩;K.普罗伊格尔;R.施莱德茨;A.斯特拉泽;N.泰森;J.齐梅尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;卢江 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有高形状各向异性的XMR传感器。实施例涉及具有非常高的形状各向异性的xMR传感器。实施例还涉及xMR堆叠的新颖构造过程，其用于实现非常高的形状各向异性而不对性能相关的磁场敏感层系统造成化学影响，同时还在晶片上提供相当一致的结构宽度，所述宽度在实施例中低至约100nm。实施例还可以提供xMR堆叠，其具有所定义横向几何形状和/或平滑的性能相关自由层系统的侧壁，这对于在晶片上实现均匀的磁特性是重要的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 形状 各向异性 xmr 传感器 | ||
【主权项】：
一种磁阻传感器元件，包括：第一磁阻堆叠部分，其包括自由层并且具有第一、第二、第三和第四侧边；和第二磁阻堆叠部分，其耦合到所述第一磁阻堆叠部分并且具有与所述第一、第二、第三和第四侧边均不齐平的第五、第六、第七和第八侧边。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110360959.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
