[发明专利]放大器无效
| 申请号： | 201110359348.6 | 申请日： | 2004-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102412796A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 帕特里克·艾蒂安·理查德;约翰·劳伦斯·彭诺克 | 申请（专利权）人： | 沃福森微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/21 | 分类号： | H03F3/21 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜诚;陈炜 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 公开了一种放大器装置，包括连接在正电源轨和负电源轨之间的放大器，且适于使得，在使用中，在放大器的输出的静态电压为正电源轨上的电压和负电源轨上的电压之间的值；且放大器与其它电路集成在公共基底上，该公共基底连接至接地轨，其中，放大器包括至少一个NMOS装置，该NMOS装置包括设置在p阱中的多个n+源极和漏极区域，一n阱将p阱与公共基底隔离开，且被隔离的p阱连接至该负电源轨。还公开了包含该放大器装置的集成电路、DVD播放机、移动电话、扬声器系统和耳机驱动器，以及一种相应的驱动接地负载的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 放大器 | ||
【主权项】：
一种放大器装置，包括连接在正电源轨和负电源轨之间的放大器，且适于使得，在使用中，所述放大器的输出处的静态电压为所述正电源轨上的电压和所述负电源轨上的电压之间的值，且所述放大器与其它电路集成在公共基底上，所述公共基底连接至接地轨，其中，所述放大器包括至少一个NMOS装置，所述NMOS装置包括设置在p阱中的多个n+源极和漏极区域，一n阱将所述p阱与公共基底隔离开，且所述被隔离的p阱连接至该负电源轨。
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