[发明专利]放大器

权利要求书

1.一种放大器装置，包括连接在正电源轨和负电源轨之间的放大器，且适于使得，在使用中，所述放大器的输出处的静态电压为所述正电源轨上的电压和所述负电源轨上的电压之间的值，且所述放大器与其它电路集成在公共基底上，所述公共基底连接至接地轨，

其中，所述放大器包括至少一个NMOS装置，所述NMOS装置包括设置在p阱中的多个n+源极和漏极区域，一n阱将所述p阱与公共基底隔离开，且所述被隔离的p阱连接至该负电源轨。

2.根据权利要求1的放大器装置，被设置为使得所述输出处的静态电压基本为地电位。

3.根据前面任一权利要求的放大器装置，被设置为使得所述放大器的输入处的静态电压基本为地电位。

4.根据前面任一权利要求的放大器装置，其中，所述正电源轨用于为所述公共基底上的所述其它电路供电。

5.根据前面任一权利要求的放大器装置，包括彼此串联连接的第一和第二输出晶体管，其位于所述正电源轨和所述负电源轨之间，由所述第一和第二输出晶体管之间的节点来提供所述输出。

6.根据权利要求5的放大器装置，进一步包括分别与所述第一和第二输出晶体管以共发共基结构连接的第三和第四输出晶体管。

7.根据权利要求5或6的放大器装置，进一步包括在第一输出晶体管的栅极和第二输出晶体管的栅极之间并联连接的第一和第二驱动晶体管。

8.根据权利要求7的放大器装置，进一步包括分别与第一和第二驱动晶体管以共发共基结构连接的第三和第四驱动晶体管。

9.根据前面任一权利要求的放大器装置，其中，所述输入级包括折叠的共发共基结构的晶体管。

10.根据前面任一权利要求的放大器装置，其中，所述放大器以CMOS工艺实现。

11.根据前面任一权利要求的放大器装置，其中，所述放大器包括连接在所述正电源轨和所述负电源轨之间的输入级，以及连接在所述正电源轨和所述负电源轨之间的输出级。

12.根据权利要求11的放大器装置，其中，所述放大器进一步包括连接在所述输入级和所述输出级之间的第三级，且所述第三级连接在正电源轨和接地轨之间，其间连接有输入级。

13.根据权利要求12的放大器装置，其中，所述第三级是非反相的。

14.根据权利要求12或13的放大器装置，其中，所述第三级包含一驱动PMOS镜象结构的共源级。

15.根据权利要求14的放大器装置，其中，所述第三级包括驱动该共源级的源级跟随器级。

16.根据权利要求12至15中任一个的放大器装置，其中，所述第三级与所述输入级和输出级集成在一公共基底上。

17.根据前面任一权利要求的放大器装置，进一步包括一数字至模拟转换器(DAC)，其被设置为接收一数字信号并输出一相应的模拟信号至所述放大器。

18.根据权利要求17的放大器装置，其中，所述DAC与所述放大器集成在一公共基底上。

19.根据前面任一权利要求的放大器装置，进一步包括产生装置，用于自一正电源电压产生一负电源电压，所述产生装置连接至所述正电源轨，且所述负电源轨被连接至该产生装置的输出。

20.根据权利要求19的放大器装置，其中，所述产生装置被设置为产生一负电源电压，其大小等于正电源轨上的正电压。

21.根据权利要求19或20的放大器装置，其中，所述产生装置包括一电荷泵。

22.根据权利要求19至21中任一个的放大器装置，其中，所述产生装置与所述放大器集成在一公共基底上。

23.根据前面任一权利要求的放大器装置，进一步包括连接至正电源轨的电源。

24.一种集成电路，其包含权利要求1-23中任一项所述的放大器装置。