[发明专利]光刻方法、刻蚀方法无效
| 申请号： | 201110357991.5 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103105736A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 沈满华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/00;H01L21/027;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻方法，其包括，提供形成有待图形化介质层半导体基底；然后形成氟烷基化的低介电常数材料层；再涂覆光阻层；曝光、显影，形成图形化光阻层；本发明另提供了一种刻蚀方法，其包括：利用前述光刻方法形成的图形化光阻层为掩膜进行刻蚀。本发明中的低介电常数材料层被氟烷基化的方式为以有机硅氧烷和有机碳氟化合物为反应气体进行化学气相沉积。在低介电常数材料层被氟烷基化的过程中，可通过控制所述有机碳氟化合物的C-F基团的比率来控制所述低介电常数材料层的折射率和疏水性。容易实现调节其对于光的反射作用和增加其与光阻层(PR)的粘附力，从而实现调节其反射率满足曝光要求和避免产生光刻胶在刻蚀过程中倒塌的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 刻蚀 | ||
【主权项】：
一种光刻方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底形成有待图形化介质层；在待图形化介质层上形成氟烷基化的低介电常数材料层；在所述低介电常数材料层上形成光阻层。
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