[发明专利]一种沟槽型绝缘栅场效应管无效
| 申请号： | 201110357903.1 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103107193A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 王邦麟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型绝缘栅场效应管，包括P型注入区上方形成有N型外延层，N型外延层上方形成有多个P型阱和沟槽，各P型阱通过沟槽彼此隔离；每个P型阱的顶部形成有N型有源区和P型有源区，所述P型有源区将N型有源区隔离成两部分，所述N型有源区与沟槽相邻，所述沟槽内具有氧化层和多晶硅；其中，所述沟槽下方具有P型掺杂区。本发明的沟槽型绝缘栅场效应管在多晶硅栅下方增加轻掺杂P型掺杂区能提高器件的耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 绝缘 场效应 | ||
【主权项】：
一种沟槽型绝缘栅场效应管，包括P型注入区上方形成有N型外延层，N型外延层上方形成有多个P型阱和沟槽，各P型阱通过沟槽彼此隔离；每个P型阱的顶部形成有N型有源区和P型有源区，所述P型有源区将N型有源区隔离成两部分，所述N型有源区与沟槽相邻，所述沟槽内具有氧化层和多晶硅；其特征是：所述沟槽下方具有P型掺杂区。
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