[发明专利]一种ZnO/SnO2异质结构纳米发光材料的制备方法无效
| 申请号： | 201110349812.3 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102504816A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 陈春晖 | 申请（专利权）人： | 浙江天旭科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/66 | 分类号： | C09K11/66;B82Y20/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 浙江英普律师事务所 33238 | 代理人： | 陈小良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州经济*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米材料的制备方法，具体是指一种无机材料氧化锌/氧化锡异质结构材料的制备方法。本发明采用化学气相沉积法，将量的Sn粉和Zn粉为源材料置于氧化铝舟前端，在离源材料一定距离处放置镀金硅衬底，抽真空后进行高温加热，再通入氧气并保温，在降温后在衬底上所得白色产物为ZnO/SnO2异质结构纳米线发光材料。本发明的优点：工艺可控性强，易操作，成本低，制得的产物纯度高。本发明所制备的产品在半导体行业具有广泛的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno sno sub 结构 纳米 发光 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO/SnO2异质结构纳米发光材料的制备方法，其特征在于包括下述步骤：(1)以Sn粉和Zn粉为源材料，混合均匀置于氧化铝舟中，在离源材料1.5～4cm处放置镀金硅衬底，然后把氧化铝舟置于炉中，并将炉进行密封，其中Sn粉与Zn粉的摩尔比为1∶1；(2)对炉内进行抽真空，直到炉内气压达到‑0.08MPa，关闭抽真空装置，通入惰性气体氩气，当炉内压力达到一个大气压时，开启抽真空装置，再次将炉内气压抽至‑0.08MPa；上述抽真空过程至少重复操作4次；(3)完成步骤(2)，抽完真空后，对炉进行加热，直至升温至950～1050℃，通入50sccm氧气，保温50～70分钟；(4)然后将炉自然降温到室温，取出衬底，衬底上所得白色产物为ZnO/SnO2异质结构纳米线发光材料。
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