[发明专利]在铁基非晶粉末上直接生长非晶碳纳米管的方法有效
申请号: | 201110348864.9 | 申请日: | 2011-11-08 |
公开(公告)号: | CN102502586A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 赵乃勤;陈龙;何春年;师春生;刘恩佐;李家俊 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02;B82Y40/00 |
代理公司: | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人: | 王小静 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种在铁基非晶粉末直接生长非晶碳纳米管的方法,属于纳米材料制备技术。该方法过程包括:将成分为Fe76Si9B10P5铁基非晶粉末摊铺在方舟中置于管式炉中心恒温区,通入氩气,完全排除空气,而后升温至反应温度,通入碳源气体和载气的混合气进行反应一段时间,反应后随炉冷却,即在铁基非晶粉末上均匀生长的非晶碳纳米管。本发明具有以下优点:在不需要任何预处理或极端条件下直接在铁基非晶粉末基体上得到了非晶碳纳米管,制备过程简单,不需要繁琐的催化剂前躯体的制备过程或极端的反应条件。所制得产物结构均匀,易于提纯,可以获得大量的纯度高、结构好的非晶碳纳米管结构。 | ||
搜索关键词: | 铁基非晶 粉末 直接 生长 非晶碳 纳米 方法 | ||
【主权项】:
一种在铁基非晶粉末上直接生长非晶碳纳米管的方法,其特征包括以下过程:取成分为Fe76Si9B10P5铁基非晶粉末均匀的摊铺在方舟中,将方舟置于管式炉石英管中心恒温区,以流量为100mL/min‑400mL/min的通入氩气1‑2h,完全置换石英管内的空气,继续在氩气的保护气氛下,以10℃/min的升温速率将石英管加热至温度500‑600℃后,按乙炔碳源气体和氩气载气的体积比为(2‑4)∶5,混合气体总流量为150‑200mL/min的比例通入混合气反应1‑2h,反应结束后恢复氩气保护气氛,以氩气流量为100mL/min‑300mL/min通入氩气,在氩气保护的气氛下以5℃/min的速率降温至450℃,而后随炉冷却至室温,即得到在铁基非晶粉末上均匀生长的非晶碳纳米管。
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