[发明专利]聚二甲基硅氧烷表面应力微薄膜生物传感器制造方法无效
| 申请号： | 201110348853.0 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102502478A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 桑胜波;张文栋;李朋伟;奉辉 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01N33/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种聚二甲基硅氧烷表面应力微薄膜生物传感器制造方法。以Sylgard 184，Dow Corning为制备聚二甲基硅氧烷微薄膜的原始材料，即基液与固化剂，采用己烷作为稀释剂，按照体积比基液∶固化剂∶己烷＝10∶1∶3的比例，使用一步旋涂工艺6200rpm/132s，成功制备了质地均匀，厚度约1μm的聚二甲基硅氧烷微薄膜作为传感器的传感层，表面蒸镀金膜便于对其进行功能化。本发明制备工艺简单，灵敏度高，能够实现微型化、低成本、批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 聚二甲基硅氧烷 表面 应力 微薄 生物 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种聚二甲基硅氧烷表面应力微薄膜生物传感器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在[001]单晶硅原片两侧淀积氮化硅；(2)在上层氮化硅的表面旋涂约1μm厚的聚二甲基硅氧烷薄膜；(3)旋涂及曝光光刻胶；(4)蒸镀厚度为20nm，长×宽＝390μm×390μm的金薄膜；(5)剥离光刻胶；(6)在硅基片的背面旋涂、曝光光刻胶；(7)用反应离子刻蚀的方法刻蚀下层氮化硅；(8)氢氧化钾刻蚀硅；(9)用反应离子刻蚀的方法刻蚀上层氮化硅，释放长×宽＝400μm×400μm的聚二甲基硅氧烷微薄膜；(10)以熔融状态聚二甲基硅氧烷为粘结剂在聚二甲基硅氧烷薄膜表面键合玻璃微腔。
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