[发明专利]聚二甲基硅氧烷表面应力微薄膜生物传感器制造方法

权利要求书

1.一种聚二甲基硅氧烷表面应力微薄膜生物传感器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在[001]单晶硅原片两侧淀积氮化硅；

(2)在上层氮化硅的表面旋涂约1μm厚的聚二甲基硅氧烷薄膜；

(3)旋涂及曝光光刻胶；

(4)蒸镀厚度为20nm，长×宽＝390μm×390μm的金薄膜；

(5)剥离光刻胶；

(6)在硅基片的背面旋涂、曝光光刻胶；

(7)用反应离子刻蚀的方法刻蚀下层氮化硅；

(8)氢氧化钾刻蚀硅；

(9)用反应离子刻蚀的方法刻蚀上层氮化硅，释放长×宽＝400μm×400μm的聚二甲基硅氧烷微薄膜；

(10)以熔融状态聚二甲基硅氧烷为粘结剂在聚二甲基硅氧烷薄膜表面键合玻璃微腔。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤(1)包括以下步骤：

1)室温下，以Sylgard 184和己烷为原材料按照基液∶固化剂∶己烷＝10∶1∶3(体积比)的比例配置20ml原溶液；

2)强力搅拌使原溶液混合均匀；

3)将混合均匀的原溶液倒入玻璃器皿中抽真空15分钟以滤除气泡；得到旋涂液；

4)使用旋涂机在上层氮化硅表面以6200rpm/132s的旋涂速率进行旋涂；

5)涂覆后再用电热炉在150℃下加热15分钟，对形成的聚二甲基硅氧烷薄膜进行固化。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的聚二甲基硅氧烷微薄膜，其表面金膜长宽为：390μm×390μm，该尺寸比例能够提供最大的应力形变。