[发明专利]一种缺锂型硅酸锰锂锂离子电池正极材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110348205.5 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102509800A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 刘素琴;王海燕 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 袁靖 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种缺锂型硅酸锰锂锂离子电池正极材料及其制备方法，本发明合成的缺锂型硅酸锰锂材料Li2-xMnSiO4(0＜x＜0.4)为纳米颗粒，粒径范围为40-80nm。相比于化学计量比的化合物，缺锂型的硅酸锰锂材料充放电比容量和容量保持率都得到了大幅度的提高。在一定范围内，缺锂型的硅酸锰锂放电比容量随缺锂量的增大而增加。其中，Li1.8MnSiO4材料的首次充放电比容量分别为238.1mAh/g，102.6mAh/g，10次循环后放电容量为68.0mAh/g。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺锂型 硅酸 锂离子电池 正极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种缺锂型硅酸锰锂锂离子电池正极材料，其特征在于，是化学式为Li2‑xMnSiO4，0＜x＜0.4的纳米颗粒。
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