[发明专利]去除双极型晶体管工艺中发射极多晶硅刻蚀残留的方法

摘要

本发明公开了一种去除双极型晶体管工艺中发射极多晶硅刻蚀残留的方法，生长基区锗硅外延层后，在基区锗硅外延层上生长一层氧化膜，然后通过干法刻蚀氧化膜和锗硅外延层形成双极型晶体管的基极，采用湿法清晰去除基极上面的氧化膜，再淀积由氧化膜和氮化膜组成的介质膜，刻蚀介质膜形成发射极窗口，在其上淀积发射极多晶硅并进行离子注入，刻蚀形成发射极。本发明利用形成发射极窗口的介质层填充了外基区多晶硅两侧的端面，从而阻止了发射极多晶硅刻蚀时在基极多晶硅两侧的残留，解决了发射极多晶硅刻蚀残留的问题，从而解决了基极和集电极漏电的风险，降低了基极多晶硅和深接触孔的距离，提高了器件的集成度。

主权项

一种去除双极型晶体管工艺中发射极多晶硅刻蚀残留的方法，其特征在于，包括如下步骤：第1步，在P型硅衬底上形成浅槽隔离，并在浅槽底部注入N型离子形成N型赝埋层；第2步，在有源区进行N型离子注入形成集电区；第3步，淀积氧化硅和多晶硅，通过干刻和湿刻形成基区窗口，生长锗硅外延层；在锗硅外延层上淀积一层氧化膜，通过干法刻蚀形成覆盖有氧化膜的基区；第4步，湿法清洗基区上的氧化膜，在基区和场氧隔离上淀积一层介质膜，刻蚀介质膜形成发射区窗口，其上淀积发射极多晶硅；第5步，对发射极多晶硅进行N型离子注入，刻蚀发射极多晶硅和介质膜，形成发射极，并在基区多晶硅的末端形成介质膜侧墙；第6步，进行自对准发射极多晶硅的锗硅外基区多晶硅P型离子注入；第7步，淀积氧化膜进行反向刻蚀，形成发射极多晶硅侧墙；第8步，对注入杂质进行退火推进，形成发射极‑基极结和基极‑集电极结；第9步，进行深接触孔光刻、干法刻蚀及湿法刻蚀，打开需要生长金属硅化物的区域，在浅槽底部深接触孔打开的区域以及锗硅外基区多晶硅上生成金属硅化物；第10步，依次淀积接触孔介质，形成接触孔、深接触孔，用金属连线连接基极、发射极和集电极。